600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIBC40G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRFIBC40G is a **N-channel** power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- It is part of IR’s **HEXFET® Power MOSFET** family, known for low conduction losses and fast switching speeds.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for improved efficiency in high-frequency switching.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.