600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIBC30G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFIBC30G is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It is optimized for high-speed performance and low conduction losses, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V V_DSS rating  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces false triggering risks  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.