500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIB7N50APBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Part Number:**  
IRFIB7N50APBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  

### **Features:**  
- Fast switching performance  
- Low gate charge  
- High ruggedness and reliability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- TO-220AB (Through-hole)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- Inverters  
- High-voltage DC-DC converters  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.