600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIB6N60APBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 4V (typ), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 170pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Number of Pins:** 3  
- **Channel Type:** N-Channel  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhanced ruggedness.  
- **Drain-Source Diode:** Includes a fast-recovery body diode.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and switching applications.