650V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIB5N65APBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 650V  
- **Current Rating (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 1.5Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (Min), 4V (Typ), 5V (Max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Descriptions:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications  
- Low gate charge for improved efficiency  

### **Features:**  
- Fast switching performance  
- Low on-resistance  
- High ruggedness and reliability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon’s datasheet for the IRFIB5N65APBF. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

650V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package