150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) The IRFIB41N15D is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 150V  
- **Current Rating (ID):** 41A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.039Ω (typical at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFIB41N15D is a N-channel MOSFET designed for high-power applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high switching efficiency.  
- Suitable for power management, motor control, and switching applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance.  
- High current capability.  
- Low thermal resistance.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on Infineon's datasheet and product documentation.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso)