HEXFET? Power MOSFET The IRFI9634GPBF is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -200V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω @ V_GS = -10V, I_D = -5.5A  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 680pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**
The IRFI9634GPBF is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It is part of IR's HEXFET family, which provides low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power handling and reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from the official International Rectifier datasheet for the IRFI9634GPBF.