-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI9630G is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** P-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.5A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω @ V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 45ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- HEXFET® technology ensures high performance and reliability.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRFI9630G.