-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI9540G is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** P-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -19A at 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W at 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.20Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -12A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 44nC (typ) at V_GS = -10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ) at V_DS = -25V  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ) at V_DS = -25V  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF (typ) at V_DS = -25V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced Process Technology:** Uses IR's proprietary HEXFET technology for high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Ensures consistent switching behavior.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole mounting for easy assembly.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.