-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI9520G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:
### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  
### **Part Number:**  
IRFI9520G  
### **Type:**  
P-Channel Power MOSFET  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -21A  
- **Power Dissipation (PD):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.60Ω (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 530pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 130pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  
### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Battery management systems  
- Industrial and automotive applications  
This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IRFI9520G datasheet.