500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI840G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:
### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 32A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.85Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 700pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Description:**
The IRFI840G is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and other power management applications.
### **Features:**
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (0.85Ω max @ 10V VGS)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  
This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IRFI840G datasheet.