500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI830GPBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 65pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Applications:** Designed for high-speed switching applications, power supplies, motor control, and inverters.  
- **Key Features:**  
  - Low gate charge for fast switching  
  - Low on-resistance for improved efficiency  
  - High ruggedness and reliability  
  - Avalanche energy rated  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.