500V N-Channel MOSFET The IRFI830 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching characteristics for power conversion.  
- Suitable for power supply, motor control, and inverter applications.  
- Robust construction for reliable performance in harsh environments.  

This information is based on Toshiba's datasheet for the IRFI830 MOSFET.