500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI820G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Descriptions:**  
- The IRFI820G is an N-channel HEXFET® Power MOSFET.  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 250pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- **HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and ruggedness.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.