HEXFET POWER MOSFET The IRFI820 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Part Number:**  
- **IRFI820**  

### **Type:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole)**  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability** (500V)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  

### **Applications:**  
- **Switching Power Supplies**  
- **Motor Control**  
- **DC-DC Converters**  
- **High-Voltage Circuits**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

HEXFET POWER MOSFET