450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI744G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The IRFI744G is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is housed in a TO-220AB package for efficient thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 400V V_DSS rating.  
- **Low Gate Charge:** Optimized for fast switching.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on effects.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRFI744G.