400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI720G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFI720G is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and low on-resistance, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **HEXFET Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in high-energy environments.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive power requirements.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **TO-220AB Package:** Standard through-hole mounting for easy assembly.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.