250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI644GPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFI644GPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 120W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 44nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- High-efficiency power management  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.