Power MOSFET The IRFI640GPBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (Infineon Technologies)  

### **Part Number:**  
- IRFI640GPBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-speed switching applications  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 200V  
- **Current Rating (I_D):** 18A (continuous at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.18Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 48nC (typical)  
- **Low Input Capacitance (C_iss):** 1350pF (typical)  
- **Avalanche Energy Rated (E_AS):** 560mJ  
- **TO-220AB Package**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-frequency inverters  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed specifications, refer to the official IRFI640GPBF datasheet.

Power MOSFET

Power MOSFET The IRFI640GPBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFI640GPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 9A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® MOSFET technology  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- High ruggedness and reliability  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power management  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Power MOSFET