200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI630G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRFI630G is a high-voltage MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for inverters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**  
- High voltage capability (200V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- TO-220 package for easy mounting  

This MOSFET is commonly used in industrial and automotive applications requiring efficient power handling.