N-CHANNEL POWER MOSFET The IRFI510A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR), now part of Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR), now Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.54Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFI510A is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is suitable for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 100V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Allows for efficient heat dissipation when mounted on a heatsink.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.