100V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package The IRFI4212H-117P is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole)**  
- **3-pin configuration (Gate, Drain, Source)**  

### **Description:**  
The IRFI4212H-117P is a high-voltage, high-current N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on) for high efficiency**  
- **Fast switching performance**  
- **High current handling capability**  
- **Avalanche energy rated**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

100V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package