150V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package The IRFI4019H-117P is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFI4019H-117P  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 96A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.077Ω (max) @ V_GS=10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 880pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRFI4019H-117P is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The TO-220AB package provides good thermal performance for heat dissipation.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

150V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package The IRFI4019H-117P is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Brand:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Package:**  
- **Package Type:** TO-247AC (3-pin)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for rugged performance  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **Switching Power Supplies**  
- **Motor Control**  
- **DC-DC Converters**  
- **Class D Audio Amplifiers**  
- **High-Current Switching Circuits**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.