100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI1310NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance** for high efficiency  
- **Fast Switching** capability  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.