30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH7923PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFH7923PBF  

### **Description:**  
The IRFH7923PBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency power conversion applications. It features low on-resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 400A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.6mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Low Gate Charge (Qg):** 60nC (typical)  
- **Low Reverse Recovery Charge (Qrr):** Optimized for high-frequency switching  
- **Avalanche Energy Rated (EAS):** Yes  
- **RoHS Compliant:** Yes  

### **Applications:**  
- Synchronous rectification in DC-DC converters  
- Motor drives and control  
- Power supplies  
- Battery management systems  
- High-efficiency power switching  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH7923PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFH7923PBF  

### **Description:**  
The IRFH7923PBF is a N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 336A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Low gate charge for improved efficiency  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRFH7923PBF. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package