30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH7921 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **IRFH7921 Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 25V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 280A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10V:** 1.7mΩ  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 4.5V:** 2.3mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions:**  
The IRFH7921 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for synchronous buck converters, motor drives, and other power-switching applications.  

### **Features:**  
- **Low RDS(ON) for reduced conduction losses**  
- **Optimized for high-frequency switching**  
- **High current capability**  
- **PQFN package for improved thermal performance**  
- **Avalanche energy rated**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRFH7921.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package