30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH7914TR2PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IRF)  
- **Part Number:** IRFH7914TR2PBF  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **R_DS(ON) (Max):** 1.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Gate Charge (Q_g):** 60nC (Typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5500pF (Typical)  

### **Descriptions:**
- The IRFH7914TR2PBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(ON)) and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency switching applications.  
- The PQFN 5x6mm package offers improved thermal performance and space-saving benefits in compact designs.  

### **Features:**
- **Low R_DS(ON):** Enhances efficiency by minimizing conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 60A continuous drain current.  
- **Optimized Switching Performance:** Low gate charge (Q_g) for fast switching.  
- **Thermally Enhanced Package:** PQFN design improves heat dissipation.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.