30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH7914 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRFH7914 is a high-performance N-channel HEXFET® power MOSFET designed for efficient power management in various applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Optimized for high-frequency switching  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-efficiency power conversion  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in demanding applications  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  
- Battery Management Systems  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package