30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package The IRFH7911 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Descriptions:**  
- The IRFH7911 is a **N-channel HEXFET® Power MOSFET** designed for high-efficiency power conversion applications.  
- It is optimized for **synchronous buck converters** and other high-frequency switching applications.  
- Features **low on-resistance (RDS(on))** and **low gate charge (Qg)** for improved efficiency.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 100A (continuous) at 25°C  
- **RDS(on) (max):** 1.7 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate Charge (Qg):** 60 nC (typical)  
- **Low Qg and Qgd:** Optimized for high-frequency switching  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses  
- **Package:** 5mm x 6mm PowerPAK® SO-8  

### **Applications:**  
- Synchronous buck converters  
- High-frequency DC-DC converters  
- Power management in servers, telecom, and industrial systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package