30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH5306TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 250W (at 25°C)  
- **RDS(ON) (Max):** 1.8mΩ (at VGS = 10V)  
- **RDS(ON) (Max):** 2.3mΩ (at VGS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (Min), 2.35V (Max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5800pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching.  
- Ultra-low on-resistance.  
- High current handling capability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.