30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5X6mm package The IRFH5301TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFH5301TRPBF  

### **Description:**  
The IRFH5301TRPBF is a N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 400A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 1.8mΩ (at VGS = 10V)  
  - 2.1mΩ (at VGS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 2000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF (typical)  
- **Switching Characteristics:**  
  - Turn-On Delay Time (td(on)): 13ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (td(off)): 30ns (typical)  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN 5x6mm (PowerQFN)  
- **Termination:** Lead-Free, RoHS Compliant  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Optimized for high-frequency switching  
- Low gate charge for fast switching  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and power management applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.