250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH5025TR2PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 25V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power conversion applications.  
- Optimized for low on-resistance (R_DS(on)) and high current handling.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **PQFN Package:** Provides excellent thermal performance and compact footprint.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRFH5025TR2PBF.