200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH5020TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRFH5020TRPBF  
- **Technology:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** PQFN 5x6mm  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Gate Charge (Q_G):** 60nC (Typical)  
- **Input Capacitance (C_ISS):** 3900pF (Typical)  

### **Descriptions:**  
The IRFH5020TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features ultra-low on-resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor drives, and other power-switching applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (70A continuous)  
- Optimized for high-frequency switching  
- PQFN 5x6mm package for improved thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package