HEXFET Power MOSFET The IRFH3702TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low on-resistance and high current handling.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters and motor control.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Optimized gate charge for improved efficiency.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet.

HEXFET Power MOSFET