100V Quad P-Channel MOSFET in a MO-036AB package The IRFG9110 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRFG9110 is an N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate drive power and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  

### **Features:**  
- **HEXFET Technology:** Provides low conduction losses and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive power requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting for easy assembly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to the official IR documentation.