IRFF131

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS The IRFF131 is a power MOSFET manufactured by Harris. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFF131 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Robust Design:** Suitable for rugged industrial environments.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the available specifications for the IRFF131 MOSFET by Harris.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS