N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 100V. Continuous drain current 8.0A. The IRFF130 is a power MOSFET manufactured by HAR (Harris Semiconductor, now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **HAR (Harris Semiconductor)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 250pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package with three leads)  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **High ruggedness and reliability**  
- **Avalanche energy specified**  
- **Designed for power switching applications**  

### **Applications:**  
- **Switching regulators**  
- **DC-DC converters**  
- **Motor control**  
- **Power amplifiers**  
- **General-purpose power switching**  

This information is based on the datasheet for the IRFF130 MOSFET from HAR (Harris Semiconductor).

N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 100V. Continuous drain current 8.0A.