N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors The IRFF123 is a power MOSFET manufactured by Harris Semiconductor (now part of Littelfuse). Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFF123 is designed for high-speed switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device is housed in a TO-220 package for efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  

For exact datasheet details, refer to the original Harris/Littelfuse documentation.

N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors