N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 100V. Continuous drain current 6.0A. The IRFF120 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in high-energy conditions.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole package for easy mounting.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet for the IRFF120 MOSFET.

N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 100V. Continuous drain current 6.0A.