-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs The IRFD9113 is a power MOSFET manufactured by INTERSIL (now part of Renesas Electronics). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** INTERSIL  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRFD9113 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency circuits.

### **Features:**
- High voltage capability (-100V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High ruggedness and reliability  
- TO-252 (DPAK) package for surface-mount applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs The IRFD9113 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.0Ω (max) @ V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Switching:** Suitable for fast-switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

These details are based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs The IRFD9113 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFD9113 is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for efficient PCB space utilization.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.