IRFD9113

-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs The IRFD9113 is a power MOSFET manufactured by INTERSIL (now part of Renesas Electronics). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** INTERSIL  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRFD9113 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency circuits.

### **Features:**
- High voltage capability (-100V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High ruggedness and reliability  
- TO-252 (DPAK) package for surface-mount applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs