0.7A/ 100V/ 1.200 Ohm/ P-Channel Power MOSFET The IRFD9110 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4.8A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-speed switching** applications.  
- **Low gate charge** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness.  
- **TO-252 (DPAK) package** for surface-mount applications.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  
- **Fast switching performance** with minimal switching losses.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRFD9110.