500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD420 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 5.6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFD420 is a high-speed N-channel power MOSFET designed for switching applications. It features low gate drive requirements, fast switching speeds, and low on-resistance, making it suitable for power management and amplification circuits.  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Low Gate Drive Power Required**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.