0.8A/ 200V/ 0.800 Ohm/ N-Channel Power MOSFET The IRFD220 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 7.6A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFD220 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate drive requirements and fast switching speeds, making it suitable for power management, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (3.5Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.