0.4A and 0.5A/ 60V and 100V/ 2.4 and 3.2 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs The IRFD1Z3 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±10V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 60pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness.  
- **Applications:** Switching regulators, motor control, power management.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

0.4A and 0.5A/ 60V and 100V/ 2.4 and 3.2 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs The IRFD1Z3 is a power MOSFET manufactured by Harris (now part of Intersil). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Harris  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRFD1Z3 is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-power switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for space-constrained designs.  
- The device is optimized for fast switching and low on-resistance.  

### **Features:**
- **Low Threshold Voltage:** Ensures compatibility with low-voltage logic circuits.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Input Capacitance:** Reduces gate drive requirements.  
- **High Reliability:** Designed for robust performance in various environments.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to the original documentation.

0.4A and 0.5A/ 60V and 100V/ 2.4 and 3.2 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs The IRFD1Z3 is a power MOSFET manufactured by IOR/HAR. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IOR/HAR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRFD1Z3 is an N-Channel enhancement-mode power MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for low gate drive requirements and fast switching speeds.  
- Suitable for low-power DC-DC converters, motor control, and general-purpose switching.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level drive circuits.  
- Fast switching performance.  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- Robust and reliable construction for industrial applications.  

For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.