IRFD1Z3

0.4A and 0.5A/ 60V and 100V/ 2.4 and 3.2 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs The IRFD1Z3 is a power MOSFET manufactured by Harris (now part of Intersil). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Harris  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRFD1Z3 is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-power switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for space-constrained designs.  
- The device is optimized for fast switching and low on-resistance.  

### **Features:**
- **Low Threshold Voltage:** Ensures compatibility with low-voltage logic circuits.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Input Capacitance:** Reduces gate drive requirements.  
- **High Reliability:** Designed for robust performance in various environments.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to the original documentation.

0.4A and 0.5A/ 60V and 100V/ 2.4 and 3.2 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs