IRFD024

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD024 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2–4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 20ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The IRFD024 is a high-performance N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- High ruggedness and reliability  
- Low thermal resistance  
- Avalanche energy rated  
- TO-252 (DPAK) package  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official IRFD024 datasheet.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package