Power MOSFET The IRFD020PBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFD020PBF  

### **Type:**  
N-Channel HEXFET Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 20pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 3pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  

### **Package:**  
TO-236 (SOT-23)  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Suitable for fast switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in high-frequency circuits.  
- **Low Input Capacitance:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Silicon Gate Technology:** Ensures high reliability and performance.  

### **Applications:**  
- Low-power switching circuits  
- High-frequency applications  
- Signal amplification  
- Power management systems  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.