IRFD010

HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP The IRFD010 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2.4A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 25pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFD010 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate drive requirements and efficient performance in power management circuits.

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage** for compatibility with logic-level drive circuits.  
- **Fast Switching Speeds** for high-frequency applications.  
- **Low Input Capacitance** reduces gate drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved ruggedness.  
- **TO-252 (DPAK) Package** for efficient thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to the official IR documentation.

HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP