600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBG30PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFBG30PBF  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFBG30PBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for applications such as power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 400 V breakdown voltage.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Offers good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.