HEXFET? Power MOSFET The IRFBG20PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFBG20PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFBG20PBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220AB Package for Easy Mounting**  
- **RoHS Compliant**  

This information is based on Vishay’s datasheet for the IRFBG20PBF. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.