1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBG20 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 1.75A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFBG20 is designed for high-voltage switching applications.  
- It features fast switching speeds and low gate charge, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control.  
- The device is housed in a TO-220AB package for efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 1000V breakdown voltage.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides mechanical durability and thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For exact application suitability, always refer to the latest documentation.

1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBG20 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.6A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRFBG20 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for use in power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package